casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT30040
codice articolo del costruttore | MURT30040 |
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Numero di parte futuro | FT-MURT30040 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT30040 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT30040 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT30040-FT |
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40080
GeneSiC Semiconductor
MBRT40080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT500100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT500150
GeneSiC Semiconductor
MBRT500150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT50020
GeneSiC Semiconductor
MBRT500200
GeneSiC Semiconductor
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel