casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT30040
codice articolo del costruttore | MURT30040 |
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Numero di parte futuro | FT-MURT30040 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT30040 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT30040 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT30040-FT |
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060R
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MBRT40080
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MBRT500150R
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MBRT50020
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MBRT500200
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EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel