casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT30010
codice articolo del costruttore | MURT30010 |
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Numero di parte futuro | FT-MURT30010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT30010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 150A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT30010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT30010-FT |
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40080
GeneSiC Semiconductor
MBRT40080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT500100R
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel