casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT20060R
codice articolo del costruttore | MURT20060R |
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Numero di parte futuro | FT-MURT20060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT20060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 160ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT20060R-FT |
MBRT40020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030
GeneSiC Semiconductor
MBRT40030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035
GeneSiC Semiconductor
MBRT40035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040
GeneSiC Semiconductor
MBRT40040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40045R
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MBRT40060
GeneSiC Semiconductor
MBRT40060R
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LCMXO640C-4TN144C
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LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
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A54SX72A-FG484I
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AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
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10M08SAU169I7G
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5SGXEB5R2F43I2LN
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EP2S60F1020C3N
Intel