casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT10005R
codice articolo del costruttore | MURT10005R |
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Numero di parte futuro | FT-MURT10005R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT10005R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT10005R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT10005R-FT |
MBRT300200
GeneSiC Semiconductor
MBRT300200R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030
GeneSiC Semiconductor
MBRT30030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30040
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045
GeneSiC Semiconductor
MBRT30045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060
GeneSiC Semiconductor
MBRT30060R
GeneSiC Semiconductor
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
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10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel