casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURF860
codice articolo del costruttore | MURF860 |
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Numero di parte futuro | FT-MURF860 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURF860 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF860 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURF860-FT |
STPSC20H12WL
STMicroelectronics
STTH20R04W
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STTH60L04W
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STTH8006W
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SPV1001D40
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SPV1001D40TR
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SPV1002D40
STMicroelectronics
SPV1002D40TR
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SPV1520N
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STPS5H100H
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XC4010XL-1TQ144C
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XC6SLX150-N3FG900C
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A3P250-1VQG100I
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A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
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EP2AGX45DF29C6N
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