casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURF30010
codice articolo del costruttore | MURF30010 |
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Numero di parte futuro | FT-MURF30010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURF30010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF30010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURF30010-FT |
MDA950-18N1W
IXYS
MDA950-20N1W
IXYS
MDA950-22N1W
IXYS
MDD600-12N1
IXYS
MDD600-16N1
IXYS
MDD600-18N1
IXYS
MDD600-20N1
IXYS
MDD600-22N1
IXYS
MDD710-22N2
IXYS
MDD950-12N1W
IXYS
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel