casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURF1620CTHC0G
codice articolo del costruttore | MURF1620CTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MURF1620CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MURF1620CTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF1620CTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURF1620CTHC0G-FT |
HERF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1007GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1008GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HERF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel