casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURB1660CTT4G
codice articolo del costruttore | MURB1660CTT4G |
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Numero di parte futuro | FT-MURB1660CTT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MURB1660CTT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB1660CTT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURB1660CTT4G-FT |
SBAW56TT1G
ON Semiconductor
BAT54CTT1
ON Semiconductor
BAW56TT1
ON Semiconductor
DAP222
ON Semiconductor
DAP222T1
ON Semiconductor
MBRP20030CTL
ON Semiconductor
MBRP20030CTLG
ON Semiconductor
MBRP30060CT
ON Semiconductor
MBRP30060CTG
ON Semiconductor
MBRP400100CTL
ON Semiconductor
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel