casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURB1620CTRG
codice articolo del costruttore | MURB1620CTRG |
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Numero di parte futuro | FT-MURB1620CTRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MURB1620CTRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB1620CTRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURB1620CTRG-FT |
MMBD7000_D87Z
ON Semiconductor
RB425D-TP
Micro Commercial Co
RB495D-TP
Micro Commercial Co
SMBD 7000 E6433
Infineon Technologies
SMBD7000E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS21VD,135
Nexperia USA Inc.
BAS21AVD,165
Nexperia USA Inc.
BAS21UE6327HTSA1
Infineon Technologies
IMN10T108
Rohm Semiconductor
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel