casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR8L60HC0G
codice articolo del costruttore | MUR8L60HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR8L60HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR8L60HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR8L60HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR8L60HC0G-FT |
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel