casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR820HC0G
codice articolo del costruttore | MUR820HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR820HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR820HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR820HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR820HC0G-FT |
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel