casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4L60 R0G
codice articolo del costruttore | MUR4L60 R0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4L60 R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR4L60 R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4L60 R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4L60 R0G-FT |
FR152G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR152G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR152GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR152GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR153G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR153G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR153GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR153GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER156G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER158G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel