casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4L40 B0G
codice articolo del costruttore | MUR4L40 B0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4L40 B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR4L40 B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4L40 B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4L40 B0G-FT |
FR303G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR302 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR302HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR302HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR303 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR303HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR303HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel