casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR420HR0G
codice articolo del costruttore | MUR420HR0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR420HR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR420HR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR420HR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR420HR0G-FT |
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR152G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel