casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4100GP-TP
codice articolo del costruttore | MUR4100GP-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4100GP-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR4100GP-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4100GP-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4100GP-TP-FT |
1N5400GP-TP
Micro Commercial Co
1N5401GP-TP
Micro Commercial Co
1N5402GP-TP
Micro Commercial Co
1N5404GP-TP
Micro Commercial Co
1N5406GP-TP
Micro Commercial Co
1N5407GP-TP
Micro Commercial Co
1N6642UB2
Microsemi Corporation
1N6642UB2R
Microsemi Corporation
1N6642UBCA
Microsemi Corporation
1N6642UBCC
Microsemi Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel