casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4100GP-TP
codice articolo del costruttore | MUR4100GP-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4100GP-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR4100GP-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4100GP-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4100GP-TP-FT |
1N5400GP-TP
Micro Commercial Co
1N5401GP-TP
Micro Commercial Co
1N5402GP-TP
Micro Commercial Co
1N5404GP-TP
Micro Commercial Co
1N5406GP-TP
Micro Commercial Co
1N5407GP-TP
Micro Commercial Co
1N6642UB2
Microsemi Corporation
1N6642UB2R
Microsemi Corporation
1N6642UBCA
Microsemi Corporation
1N6642UBCC
Microsemi Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel