casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4100ERL
codice articolo del costruttore | MUR4100ERL |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4100ERL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MUR4100ERL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4100ERL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4100ERL-FT |
CD216A-B120RLF
Bourns Inc.
CD216A-B130LLF
Bourns Inc.
CD216A-B140LF
Bourns Inc.
MBRM110ET1
ON Semiconductor
MBRM110ET3
ON Semiconductor
MBRM110LT1
ON Semiconductor
MBRM110LT3
ON Semiconductor
MBRM120ET1
ON Semiconductor
MBRM120ET3
ON Semiconductor
MBRM130LT1
ON Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel