casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR315S V6G
codice articolo del costruttore | MUR315S V6G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR315S V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR315S V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR315S V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR315S V6G-FT |
S3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8GCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F10HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel