casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR315S V6G
codice articolo del costruttore | MUR315S V6G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR315S V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR315S V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR315S V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR315S V6G-FT |
S3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8GCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S8JCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSOD1F10HM RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel