casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR2X100A02
codice articolo del costruttore | MUR2X100A02 |
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Numero di parte futuro | FT-MUR2X100A02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR2X100A02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2X100A02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR2X100A02-FT |
MBRTA40030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40040L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40045L
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MBRTA40045RL
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MBRTA500100
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100R
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MBRTA500150
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XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel