casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR2X060A12
codice articolo del costruttore | MUR2X060A12 |
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Numero di parte futuro | FT-MUR2X060A12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR2X060A12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.35V @ 60A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2X060A12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR2X060A12-FT |
MBRTA40045L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500150
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500150R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50020
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50020R
GeneSiC Semiconductor
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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