casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR2X030A02
codice articolo del costruttore | MUR2X030A02 |
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Numero di parte futuro | FT-MUR2X030A02 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR2X030A02 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2X030A02 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR2X030A02-FT |
MBRTA40030L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40040L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40045L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA40045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel