casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / MUN5330DW1T1G
codice articolo del costruttore | MUN5330DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5330DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5330DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5330DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5330DW1T1G-FT |
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC114TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC114YPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
XC3S1200E-5FG320C
Xilinx Inc.
XA3S1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU15P-L1FFVE1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1CQ256M
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP4CE15E22C8N
Intel
5SGSED6N2F45I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC2VP50-6FF1148C
Xilinx Inc.