casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN2215T1G
codice articolo del costruttore | MUN2215T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN2215T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN2215T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 338mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2215T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN2215T1G-FT |
UNR92A0G0L
Panasonic Electronic Components
UNR92A1G0L
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Intel
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Xilinx Inc.
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Intel
EP3CLS70F484I7N
Intel
5SGXEA5N2F45C2N
Intel
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel