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ON Semiconductor MUN2212T1G

Numero parte MFG
MUN2212T1G
quantità disponibile
16270 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.022704
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-MUN2212T1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MUN2212T1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 338mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SC-59
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MUN2212T1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MUN2212T1G-FT

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