casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW10-06A7
codice articolo del costruttore | MUBW10-06A7 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW10-06A7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW10-06A7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20A |
Potenza - Max | 85W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 600µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 0.6nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW10-06A7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW10-06A7-FT |
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGF100DA120TG
Microsemi Corporation
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation
APTGF100A120T3WG
Microsemi Corporation
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation
EP2C8T144I8N
Intel
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F23C7N
Intel
10AX115U4F45I3LG
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
EP20K100EFC324-2N
Intel