casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8600N4-T
codice articolo del costruttore | MTD8600N4-T |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8600N4-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8600N4-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 24° |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8600N4-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8600N4-T-FT |
PNZ109F
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PNZ154
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PNZ150
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PNA2W01M
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PNA2603L
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PNA2602M
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PNA1801LS0NC
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XCVU095-1FFVD1517I
Xilinx Inc.
XC2S200E-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C1N
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PLG84
Microsemi Corporation
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1SG
Intel