casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8600N-T
codice articolo del costruttore | MTD8600N-T |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8600N-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8600N-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 24° |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-18-2 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8600N-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8600N-T-FT |
PNZ108F
Panasonic Electronic Components
PNZ109CL
Panasonic Electronic Components
PNZ109F
Panasonic Electronic Components
PNZ154
Panasonic Electronic Components
PNZ150
Panasonic Electronic Components
PNZ12700S
Panasonic Electronic Components
PNZ121S0R
Panasonic Electronic Components
PNZ107
Panasonic Electronic Components
PNA2W01M
Panasonic Electronic Components
PNA2603L
Panasonic Electronic Components
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7N
Intel
10M50SAE144C8G
Intel
5SGXEBBR2H43I3LN
Intel
XC5VLX50T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ160I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C5N
Intel