casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8000N4-T
codice articolo del costruttore | MTD8000N4-T |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8000N4-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8000N4-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 24° |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C (TA) |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8000N4-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8000N4-T-FT |
PNZ154
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PNZ150
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PNA2602M
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PNA1801LS0NC
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PNA1801LS
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APA1000-BGG456M
Microsemi Corporation
M2GL010-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C10U256C6
Intel
5SGXMB5R2F40C3N
Intel
EP4S100G5H40I1
Intel
XC6VLX240T-1FF1759C
Xilinx Inc.
LFE2-50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C4G
Intel
10AX022E3F29E1HG
Intel
EP1S25F1020C6N
Intel