casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8000M3B-T
codice articolo del costruttore | MTD8000M3B-T |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8000M3B-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8000M3B-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 160° |
Potenza - Max | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Pacchetto / caso | Radial, 3mm Dia (T-1) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8000M3B-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8000M3B-T-FT |
PNZ108CLR
Panasonic Electronic Components
PNZ108CLS
Panasonic Electronic Components
PNZ108F
Panasonic Electronic Components
PNZ109CL
Panasonic Electronic Components
PNZ109F
Panasonic Electronic Components
PNZ154
Panasonic Electronic Components
PNZ150
Panasonic Electronic Components
PNZ12700S
Panasonic Electronic Components
PNZ121S0R
Panasonic Electronic Components
PNZ107
Panasonic Electronic Components
LCMXO2280E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-3FGG484I
Xilinx Inc.
EP1SGX10CF672C5N
Intel
5SGSMD4E2H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3LN
Intel
XC2V6000-4FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
10AX057N3F40E2SG
Intel
5AGXBB1D4F35C5N
Intel
EP1C4F324C6
Intel