casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8000D3
codice articolo del costruttore | MTD8000D3 |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8000D3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8000D3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 130° |
Potenza - Max | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8000D3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8000D3-FT |
QSD123A4R0
ON Semiconductor
QSD122
ON Semiconductor
QSD122A4R0
ON Semiconductor
QSD128
ON Semiconductor
QSC112
ON Semiconductor
QSC113
ON Semiconductor
QSC114
ON Semiconductor
QSB363ZR
ON Semiconductor
QSB320TR
ON Semiconductor
BPW36
ON Semiconductor
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7N
Intel
10M50SAE144C8G
Intel
5SGXEBBR2H43I3LN
Intel
XC5VLX50T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ160I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C5N
Intel