casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8000D1
codice articolo del costruttore | MTD8000D1 |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8000D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8000D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 60° |
Potenza - Max | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8000D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8000D1-FT |
QSD123
ON Semiconductor
QSD123A4R0
ON Semiconductor
QSD122
ON Semiconductor
QSD122A4R0
ON Semiconductor
QSD128
ON Semiconductor
QSC112
ON Semiconductor
QSC113
ON Semiconductor
QSC114
ON Semiconductor
QSB363ZR
ON Semiconductor
QSB320TR
ON Semiconductor
XC2S50-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG484I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
EP4SE820H40C4N
Intel
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
A42MX16-2TQG176I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C4N
Intel