casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fototransistor / MTD8000D1
codice articolo del costruttore | MTD8000D1 |
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Numero di parte futuro | FT-MTD8000D1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD8000D1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Corrente - Scuro (Id) (Max) | 100nA |
lunghezza d'onda | 880nm |
Angolo di visione | 60° |
Potenza - Max | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Orientamento | Top View |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD8000D1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD8000D1-FT |
QSD123
ON Semiconductor
QSD123A4R0
ON Semiconductor
QSD122
ON Semiconductor
QSD122A4R0
ON Semiconductor
QSD128
ON Semiconductor
QSC112
ON Semiconductor
QSC113
ON Semiconductor
QSC114
ON Semiconductor
QSB363ZR
ON Semiconductor
QSB320TR
ON Semiconductor
LFEC1E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-2PQ208
Microsemi Corporation
A3P060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10CL080ZU484I8G
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel