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codice articolo del costruttore | MTD5010W |
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Numero di parte futuro | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD5010W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 850nm |
Colore: migliorato | Infrared (NIR)/Red |
Gamma spettrale | 400nm ~ 1100nm |
Diodo | - |
Responsività @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tempo di risposta | 3.5ns |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Scura (tipo) | 5nA |
Area attiva | - |
Angolo di visione | 110° |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
XC3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
10AX027E3F27E2LG
Intel
XA7S25-1CSGA225I
Xilinx Inc.
XC7K160T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QI208-2N
Intel