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codice articolo del costruttore | MTD5010W |
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Numero di parte futuro | FT-MTD5010W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD5010W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 850nm |
Colore: migliorato | Infrared (NIR)/Red |
Gamma spettrale | 400nm ~ 1100nm |
Diodo | - |
Responsività @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tempo di risposta | 3.5ns |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Scura (tipo) | 5nA |
Area attiva | - |
Angolo di visione | 110° |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD5010W-FT |
UVG5S
Opto Diode Corp
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
EP20K100ETC144-1N
Intel
XCV1600E-7FG900I
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
AGL125V2-FG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation