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codice articolo del costruttore | MTD5010N |
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Numero di parte futuro | FT-MTD5010N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD5010N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 850nm |
Colore: migliorato | Infrared (NIR)/Red |
Gamma spettrale | 400nm ~ 1100nm |
Diodo | - |
Responsività @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tempo di risposta | 3.5ns |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Scura (tipo) | 5nA |
Area attiva | - |
Angolo di visione | 24° |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD5010N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD5010N-FT |
UVG5
Opto Diode Corp
UVG20S
Opto Diode Corp
UVG20C
Opto Diode Corp
UVG12
Opto Diode Corp
UVG100
Opto Diode Corp
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
SXUV20HS1
Opto Diode Corp
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG484
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC7B6M15C7N
Intel
5SGXEA3K3F35C4N
Intel
XC5VLX50-1FFG1153I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4
Intel
EP4SGX360FF35C2XN
Intel