casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Fotodiodi / MTD3010N
codice articolo del costruttore | MTD3010N |
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Numero di parte futuro | FT-MTD3010N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTD3010N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
lunghezza d'onda | 900nm |
Colore: migliorato | Infrared (NIR)/Red |
Gamma spettrale | 400nm ~ 1100nm |
Diodo | - |
Responsività @ nm | 0.2 A/W @ 450nm |
Tempo di risposta | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Scura (tipo) | 10nA |
Area attiva | - |
Angolo di visione | 16° |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTD3010N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTD3010N-FT |
SXUVPS4C
Opto Diode Corp
SXUVPS4
Opto Diode Corp
SXUV5
Opto Diode Corp
SXUV300C
Opto Diode Corp
SXUV20HS1
Opto Diode Corp
SXUV100
Opto Diode Corp
ODD-5WB
Opto Diode Corp
ODD-5WISOL
Opto Diode Corp
ODD-5WBISOL
Opto Diode Corp
ODD-5W
Opto Diode Corp
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FFG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C6N
Intel
EP1S25F780C6N
Intel