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codice articolo del costruttore | MTAPD-07-012-905F |
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Numero di parte futuro | FT-MTAPD-07-012-905F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTAPD-07-012-905F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 905nm |
Colore: migliorato | - |
Gamma spettrale | 400nm ~ 1100nm |
Diodo | Avalanche |
Responsività @ nm | 55 A/W @ 905nm |
Tempo di risposta | 600ps |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Scura (tipo) | 200pA |
Area attiva | 500µm Dia |
Angolo di visione | - |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTAPD-07-012-905F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTAPD-07-012-905F-FT |
PDB-C139
Advanced Photonix
PDB-C134F
Advanced Photonix
PDB-C134
Advanced Photonix
PDB-C122
Advanced Photonix
PDB-C107
Advanced Photonix
PDB-V107
Advanced Photonix
PDB-V113
Advanced Photonix
PDB-C113
Advanced Photonix
PDB-C140
Advanced Photonix
SD630-70-72-500
Advanced Photonix
EP1K10TC144-3N
Intel
XC3S400-4FTG256I
Xilinx Inc.
XCV300-4FG456I
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP20K160EFC484-1
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35I5ES
Intel
EP2S90F1508C5N
Intel
EPF10K200SBC356-1X
Intel