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codice articolo del costruttore | MT9V024IA7XTM-DP1 |
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Numero di parte futuro | FT-MT9V024IA7XTM-DP1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT9V024IA7XTM-DP1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | CMOS |
Dimensione pixel | 6µm x 6µm |
Active Pixel Array | 752H x 480V |
Fotogrammi al secondo | 60 |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (With Derating) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT9V024IA7XTM-DP1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT9V024IA7XTM-DP1-FT |
KAI-04022-AAA-CR-BA
ON Semiconductor
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR1
ON Semiconductor
AR0144CSSM00SUKA0-CPBR1
ON Semiconductor
AR0521SR2C09SURA0-DP
ON Semiconductor
AR0521SR2C09SURA0-DP1
ON Semiconductor
AR0521SR2C09SURA0-DR
ON Semiconductor
CHR71000ES-1E5C1PA
ams
CHR71000ES-1E5M1PA
ams
CHR71000HGES-1E5M1PA
ams
CMV12000-2E5C1PA
ams
A3PE3000-1PQG208I
Microsemi Corporation
APA450-PQG208I
Microsemi Corporation
A1010B-1PLG68C
Microsemi Corporation
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C16F256A7N
Intel
5AGZME1E2H29I3LN
Intel
XC4VFX12-10FFG668C
Xilinx Inc.
AGL125V2-FG144
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
EP3SE110F780C3
Intel