casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M64D4SB-046 XT:E
codice articolo del costruttore | MT53D512M64D4SB-046 XT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M64D4SB-046 XT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M64D4SB-046 XT:E-FT |
IS43DR81280B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR82560C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR82560C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR86400C-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel