casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR
codice articolo del costruttore | MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR-FT |
MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation