casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 WT:D
codice articolo del costruttore | MT53D512M32D2NP-046 WT:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 WT:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 WT:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 WT:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M32D2NP-046 WT:D-FT |
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 XT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation