casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D
codice articolo del costruttore | MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D-FT |
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:D
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation