casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR
codice articolo del costruttore | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR-FT |
MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel