casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D

| codice articolo del costruttore | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 32Gb (1G x 32) |
| Frequenza di clock | 2133MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Tensione - Fornitura | 1.1V |
| temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D-FT |

MT53B4DCNQ-DC
Micron Technology Inc.

MT53B4DCNQ-DC TR
Micron Technology Inc.

MT53B4DCNY-DC
Micron Technology Inc.

MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron Technology Inc.

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.

MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.

LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation

LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXEA7K3F40C2L
Intel

10M08SAU169I7G
Intel

XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.

XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.

LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K160EBC356-1
Intel