casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR
codice articolo del costruttore | MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR-FT |
MT53B4DCNK-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNQ-DC
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNQ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B4DCNY-DC
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel