casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B768M32D4NQ-062 WT:B
codice articolo del costruttore | MT53B768M32D4NQ-062 WT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B768M32D4NQ-062 WT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (768M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B768M32D4NQ-062 WT:B-FT |
AT88SC25616C-MJ
Microchip Technology
CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PF-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PB-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDFP164A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFP164A3PD-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel