casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR
codice articolo del costruttore | MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (768M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR-FT |
CAT24C32WI-GT3HP
ON Semiconductor
DS28E10P+T
Maxim Integrated
EDB4064B4PB-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PF-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PB-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDFP164A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFP164A3PD-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EM-10 16GB I-GRADE
Swissbit
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation