casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B128M32D1NP-062 WT:A
codice articolo del costruttore | MT53B128M32D1NP-062 WT:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B128M32D1NP-062 WT:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1NP-062 WT:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1NP-062 WT:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B128M32D1NP-062 WT:A-FT |
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16TW-093:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16V89C3WC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel