casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR
codice articolo del costruttore | MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR-FT |
MT41J128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16TW-093:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16V89C3WC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel