casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C
codice articolo del costruttore | MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (1G x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C-FT |
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CFM-25E:B
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel