casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR-FT |
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
Intel