casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR
codice articolo del costruttore | MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frequenza di clock | 1067MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 178-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 178-FBGA (11.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR-FT |
MT25QL256ABA1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABB1EW9-0SIT
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel