casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frequenza di clock | 1067MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR-FT |
MT49H16M36FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel